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适配器充电器mos管,500V13A高压mos管,KNX6450B-KIA MOS管
KNX6450B是一款高压MOS管，漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON）为0.35Ω；具备快速切换特性，实现快速切换电源，减少损耗；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单脉冲雪崩能量测试，确保器件工作高效低耗，稳定可靠；KNX6450B场效应管在适配器和充电器的电源开...www.kiaic.com/article/detail/5266.html 2025-05-13
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40n120参数及代换,光伏逆变器场效应管,KGM40N120AI-KIA MOS管
40n120场效应管漏源电压1200V，漏极电流40A，具备高频、高温、高压特性，低VCE（sat），降低开关损耗；快速切换、高坚固性确保电路高效稳定；KGM40N120AI专为太阳能光伏逆变器、UPS电源、储能电源等应用设计，适合用于需要低功耗和高稳定性的电路中；封装形式：...www.kiaic.com/article/detail/5308.html 2025-05-13
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模电mos管,1200v3a,KND42120A场效应管参数引脚图-KIA MOS管
KND42120A场效应管漏源击穿电压1200V，漏极电流3A，具备高压和低导通电阻特性，提高系统效率；低导通电阻RDS(ON) 7Ω、低栅极电荷(17.5nC)最小化开关损耗；以及高速的响应能力提高切换速度，符合RoHS标准，快速恢复体二极管，确保性能稳定可靠，适用于适配器、...www.kiaic.com/article/detail/5314.html 2025-05-13
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60nf06参数代换,逆变器mos管,KND3306B场效应管资料-KIA MOS管
60nf06代换型号KND3306B场效应管漏源击穿电压68V，漏极电流80A，低导通电阻RDS(on)=7mΩ@VGS=10V，能够减少导电损耗，最小化开关损耗；具备高雪崩电流、开关速度快、耐冲击特性好，坚固可靠；提供环保无铅绿色设备，在电机控制、锂电池保护板、逆变器中高效稳定...www.kiaic.com/article/detail/5329.html 2025-05-13
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21n50参数及代换,大功率mos管,KIA20N50HF参数资料-KIA MOS管
21n50场效应管代换型号KIA20N50HF漏源击穿电压500V，漏极电流20A，低导通电阻RDS(on)0.21Ω，低栅极电荷（典型值为70nC），减少导电损耗，最小化开关损耗；具备快速切换能力、指定雪崩能量、改进的dvdt功能，稳定可靠；高效率低损耗，专为高压、高速功率开关应...www.kiaic.com/article/detail/5332.html 2025-05-13
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50n06场效应管,60v50a,60vmos管,KIA50N06BD资料-KIA MOS管
KIA50N06BD场效应管漏源电压60V，漏极电流50A，低导通电阻RDS(ON)10.5mΩ；具有低Rds开启，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗；高雪崩电流，能够承受较高的电压脉冲，提高可靠性，确保在应用中高效稳定；无铅绿色环保，适用于适配器、开关电源、UPS电源、车载...www.kiaic.com/article/detail/5357.html 2025-05-13
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ao4407a,ao4407参数,ao4407a引脚图功能-KIA MOS管
ao4407参数漏源电压（Vdss）?：30V?连续漏极电流（Id）?：12ARDS(ON) (at VGS =-10V)< 14m??栅源极阈值电压?：2.8V @ 250uA?最大功率耗散?：3.1Wwww.kiaic.com/article/detail/5388.html 2025-05-13
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保护板mos管,无刷电机mos,30v150a,KIA2803AB场效应管参数-KIA MOS管
KIA2803AB场效应管漏源击穿电压30V，漏极电流150A，采用先进的沟槽工艺设计，极低导通电阻RDS(on)=2.2mΩ，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；具有快速切换、100%雪崩测试、允许高达Tjmax的重复雪崩、无铅，符合RoHS标准，在锂电池保护板、...www.kiaic.com/article/detail/5390.html 2025-05-13
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AD30P30D3替代,-30v-100a,电机驱动pmos,KPY3203D参数-KIA MOS管
KPY3203D场效应管漏源击穿电压-30V，漏极电流-100A，采用先进的高细胞密度沟槽技术，极低的导通电阻RDS(on)=3.5mΩ，超低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，最小化开关损耗；100%EAS保证、CdV/dt效应显著下降，高效稳定，绿色设备可用，符合环保要求，专用于电...www.kiaic.com/article/detail/5400.html 2025-05-13
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电机驱动高压mos管,11a400v场效应管,KNF6140S参数-KIA MOS管
KNF6140S场效应管漏源击穿电压400V，漏极电流11A，极低导通电阻RDS(on)=0.53Ω，低栅极电荷15.7nC，可最大限度地减少导电损失；具有高坚固性、快速切换、100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，高效稳定可靠，提供卓越的开关性能；专为高压、高速功率开关应用而设计，...www.kiaic.com/article/detail/5406.html 2025-05-13
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3n150场效应管参数,3a1500v,KNL42150A代换mos资料-KIA MOS管
3n150场效应管代换型号KNL42150A漏源击穿电压1500V，漏极电流3A，导通电阻RDS(on)=5.5Ω，低栅极电荷，最大限度地减少导电损耗，减少开关损耗；具有高开关频率、低驱动电流，高可靠性，适用于高速转换、高速开关应用场景?，在变频器电源和逆变器、适配器、充电...www.kiaic.com/article/detail/5424.html 2025-05-13
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音响功放mos管,500v13a,KNF6450B场效应管参数资料-KIA MOS管
音响功放专用场效应管KNF6450B漏源电压500V，漏极电流13A，RDS（ON）为0.35Ω，低导通电阻，最大限度地减少导通损耗；具备快速切换特性，实现快速切换电源，高效率低损耗；低栅极电荷、低反向传输电容、100%单脉冲雪崩能量测试，稳定可靠；适用于音响功放、适配...www.kiaic.com/article/detail/5462.html 2025-05-13
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85n06场效应管参数,bms mos,KND3306C参数资料-KIA MOS管
KND3306C漏源电压68V，漏极电流80A，极低电阻RDS（ON）为6.5mΩ，最大限度地减少导通损耗；低Crss、快速切换特性，实现快速切换电源，高效率低损耗；100%雪崩测试、改进的dv/dt能力，确保性能稳定可靠；适用于PWM应用程序、bms电池管理、负载开关中；封装形式：...www.kiaic.com/article/detail/5465.html 2025-05-13
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电机mos管,2803场效应管,30v150a,KND2803A参数资料-KIA MOS管
KND2803A场效应管漏源电压30V，漏极电流150A，采用沟槽加工技术设计，实现极低的导通电阻，RDS（ON）为2.2mΩ，最大限度地减少导通损耗；具有150°C的结工作温度、快速的开关速度、100%雪崩测试和改进的重复雪崩额定值，无铅，符合RoHS标准，稳定可靠；适用...www.kiaic.com/article/detail/5468.html 2025-05-13